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    • 专利摘要:
    光偵測器，包括：輸出其值根據入射光的照度決定的第一光資料信號及第二光資料信號的光偵測器電路；被輸入第一光資料信號及第二光資料信號並利用第一光資料信號及第二光資料信號進行運算處理的類比運算電路；以及用來切換作為類比運算電路中的運算處理是進行第一光資料信號和第二光資料信號的加法運算還是進行第一光資料信號和第二光資料信號的減法運算的切換電路。
    公开号:TW201315220A
    申请号:TW101123889
    申请日:2012-07-03
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Munehiro Kozuma
    申请人:Semiconductor Energy Lab；
    IPC主号:G01J1-00
    专利说明:
    光偵測器
    本發明的一個實施例關於一種光偵測器。
    近年來，利用能夠產生對應於入射光的照度的值的資料的光偵測器電路(也稱為光學感測器)輸入資訊的光偵測器、利用該光偵測器電路輸入資訊並對應輸入的資訊輸出資訊的光偵測器等的技術開發不斷進展。
    作為光偵測器，例如可以舉出影像感測器。作為影像感測器，例如可以舉出CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合器)影像感測器、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor；互補型金屬氧化物半導體)影像感測器等(例如專利文獻1)。
    在專利文獻1所示的光偵測器中，在一個光偵測器電路中產生兩個光資料信號並將其輸出到一個光電轉換元件來產生上述兩個信號的差分資料信號，由此可以減少雜波帶來的影響並且藉由減小資料量可以使資料傳送速度成為高速。
    [專利文獻1]日本專利申請公開第2004-356699號公報
    但是，在上述光偵測器中，由於在一個光偵測器電路中產生多個光資料信號，與在一個光偵測器電路中只形成一個光資料信號的情況相比，對應於入射光的照度能夠產生的光資料信號的值的範圍變窄。因此，能夠利用根據光資料信號產生的資料信號表示的灰階值變少。即，存在光的偵測範圍變窄的問題。尤其是在入射光的照度大於基準值時該問題尤為明顯。
    本發明的一個實施例的目的之一是抑制光的偵測範圍變窄。
    在本發明的一個實施例中，當利用兩個光資料信號進行運算處理來產生輸出資料信號時，藉由根據入射光的照度的值是否大於基準值來切換運算電路中的運算內容，由此來抑制光的偵測範圍變窄。
    本發明的一個實施例是一種光偵測器，其包括：輸出其值根據入射光的照度決定的第一光資料信號及第二光資料信號的光偵測器電路；被輸入第一光資料信號及第二光資料信號並利用第一光資料信號及第二光資料信號進行運算處理的類比運算電路；以及用來切換作為類比運算電路中的運算處理是進行第一光資料信號和第二光資料信號的加法運算還是進行第一光資料信號和第二光資料信號的減法運算的切換電路。
    藉由本發明的一個實施例可以抑制能夠產生的資料信號的值的範圍變窄，由此可以抑制光的偵測器範圍變窄。
    下面，參照圖式對用來說明本發明的實施例的一個例子進行說明。注意，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是實施例的內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不侷限於以下所示的實施例所記載的內容中。
    另外，各實施例的內容可以彼此適當地組合。此外，各實施例的內容可以互換。
    另外，“第一”、“第二”等序數詞是為了避免結構要素的混同而附加的，各構成要素的個數不侷限於序數詞的數目。 實施例1
    在本實施例中，對光偵測器的例子進行說明。
    使用圖1A和1B對本實施例中的光偵測器的結構例進行說明。
    圖1A所示的光偵測器包括光偵測器電路(也稱為PS)101、類比運算電路(也稱為AO)102及切換電路(也稱為Sw)103。
    光偵測器電路101能夠輸出其值根據入射光的照度決定的第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2。
    類比運算電路102被輸入第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2。類比運算電路102能夠利用第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2進行運算處理並將對應運算結果的值的電位作為輸出信號Sad輸出。注意，也可以將多個光偵測器電路101的第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2輸入到一個類比運算電路102，而不侷限於圖1A的結構。
    切換電路103用來切換作為類比運算電路102中的運算處理是進行第一光資料信號Spd1和第二光資料信號Spd2的加法運算還是進行第一光資料信號Spd1和第二光資料信號Spd2的減法運算。例如，如圖1A所示，可以藉由利用切換電路103切換類比運算電路102中的輸入第二光資料信號Spd2的端子，來切換類比運算電路102的運算內容。另外，切換電路103由切換控制信號(也稱為信號SwCTL)控制，該切換控制信號的值根據入射到光偵測器的光的照度決定。例如，可以根據類比運算電路102的輸出信號Sad的值決定切換控制信號的值。
    切換電路103例如具有第一選擇電晶體和第二選擇電晶體。
    第一選擇電晶體的閘極被輸入切換控制信號。第一選擇電晶體用來控制在類比運算電路102中是否進行第一光資料信號Spd1和第二光資料信號Spd2的加法運算。
    第二選擇電晶體的閘極被輸入切換控制信號的反轉信號。第二選擇電晶體用來控制在類比運算電路102中是否進行第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的減法運算。
    另外，如圖1B所示，也可以在光偵測器電路101與切換電路103之間設置相關雙取樣電路(也稱為CDS)104a及104b。藉由設置相關雙取樣電路104a及104b，可以降低光偵測器的特性不均勻對第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的影響。
    接著，使用圖2A至2C對圖1A所示的光偵測器的具體例子進行說明。
    在圖2A所示的光偵測器中，光偵測器電路101包括光電轉換元件(也稱為PCE)111、電晶體112a、電晶體112b、電晶體113a、電晶體113b、電晶體114a、電晶體114b、電晶體115a及電晶體115b。
    光電轉換元件111包括第一電流端子及第二電流端子，並且根據入射光的照度第一電流端子及第二電流端子之間流過電流(也稱為光電流)。
    光電轉換元件111的第一電流端子被輸入為脈衝信號的光偵測重設信號(也稱為信號PRst)。另外，作為本實施例中的光偵測器的結構，也可以採用代替光偵測重設信號將電位Va輸入到光電轉換元件111的第一電流端子的結構。在這種情況下，可以採用如下結構：設置作為場效應電晶體的光偵測重置電晶體，對光偵測重置電晶體的源極和汲極中的一者輸入電位Va，將光偵測重置電晶體的源極和汲極中的另一者與電晶體113a及電晶體113b的閘極連接，並對光偵測重置電晶體的閘極輸入光偵測重設信號。
    作為光電轉換元件111，例如可以使用光電二極體、光電電晶體等。當採用光電二極體時，光電二極體的陽極和陰極中的一者相當於光電轉換元件的第一電流端子，光電二極體的陽極和陰極中的另一者相當於光電轉換元件的第二電流端子；當採用光電電晶體時，光電電晶體的源極和汲極中的一者相當於光電轉換元件的第一電流端子，光電電晶體的源極和汲極中的另一者相當於光電轉換元件的第二電流端子。
    電晶體112a的源極和汲極中的一者與光電轉換元件111的第二電流端子連接，電晶體112a的閘極被輸入為脈衝信號的第一電荷累積控制信號(也稱為信號TX1)。
    電晶體112b的源極和汲極中的一者與光電轉換元件111的第二電流端子連接，電晶體112b的閘極被輸入為脈衝信號的第二電荷累積控制信號(也稱為信號TX2)。
    電晶體112a及電晶體112b能夠選擇在光偵測器電路101中是否進行電荷累積工作，而用作具有該功能的電荷累積控制電晶體。
    作為電晶體112a及電晶體112b，例如可以使用截止電流低的電晶體。此時，電晶體112a及電晶體112b的截止電流為每通道寬度1μm為10aA(1×10-17A)或以下，較佳為每通道寬度1μm為1aA(1×10-18A)或以下，更佳為每通道寬度1μm為10zA(1×10-20A)或以下，進一步較佳的是每通道寬度1μm為1zA(1×10-21A)或以下，更進一步較佳的是每通道寬度1μm為100yA(1×10-22A)或以下。
    作為上述截止電流低的電晶體，例如可以使用比矽能隙寬的例如能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的包括形成有通道的半導體層的電晶體。作為上述能隙寬的電晶體，例如可以使用包括形成有通道的氧化物半導體層的場效應電晶體等。
    作為上述氧化物半導體層，例如可以使用In基氧化物(例如氧化銦等)、Sn基氧化物(例如氧化錫等)、Zn基氧化物(例如氧化鋅等)等。
    另外，作為上述氧化物半導體層，例如可以使用四元金屬氧化物、三元金屬氧化物、二元金屬氧化物等的金屬氧化物。另外，上述氧化物半導體層可以含有作為用來降低特性不均勻性的穩定劑的鎵。另外，能夠用作上述氧化物半導體的金屬氧化物也可以含有錫作為上述穩定劑。另外，能夠用作上述氧化物半導體的金屬氧化物也可以含有鉿作為上述穩定劑。另外，能夠用作上述氧化物半導體的金屬氧化物也可以含有鋁作為上述穩定劑。另外，能夠用作上述氧化物半導體的金屬氧化物也可以含有鑭系元素的鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿和鑥中的一個或多個作為上述穩定劑。另外，能夠用作上述氧化物半導體的金屬氧化物也可以含有氧化矽。
    例如，作為四元金屬氧化物，例如可以使用In-Sn-Ga-Zn基氧化物、In-Hf-Ga-Zn基氧化物、In-Al-Ga-Zn基氧化物、In-Sn-Al-Zn基氧化物、In-Sn-Hf-Zn基氧化物、In-Hf-Al-Zn基氧化物等。
    另外，作為三元金屬氧化物，例如可以使用In-Ga-Zn基氧化物、In-Sn-Zn基氧化物、In-Al-Zn基氧化物、Sn-Ga-Zn基氧化物、Al-Ga-Zn基氧化物、Sn-Al-Zn基氧化物、In-Hf-Zn基氧化物、In-La-Zn基氧化物、In-Ce-Zn基氧化物、In-Pr-Zn基氧化物、In-Nd-Zn基氧化物、In-Sm-Zn基氧化物、In-Eu-Zn基氧化物、In-Gd-Zn基氧化物、In-Tb-Zn基氧化物、In-Dy-Zn基氧化物、In-Ho-Zn基氧化物、In-Er-Zn基氧化物、In-Tm-Zn基氧化物、In-Yb-Zn基氧化物、In-Lu-Zn基氧化物等。
    另外，作為二元金屬氧化物，例如可以使用In-Zn基氧化物、Sn-Zn基氧化物、Al-Zn基氧化物、Zn-Mg基氧化物、Sn-Mg基氧化物、In-Mg基氧化物、In-Sn基氧化物、In-Ga基氧化物等。
    另外，作為上述氧化物半導體層，可以使用具有如下相(也稱為CAAC：C Axis Aligned Crystal；c軸配向結晶)的氧化物半導體層，該結晶進行c軸配向，並且在從ab面、表面或介面的方向看時具有三角形或六角形的原子排列，在c軸上金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀，而在ab面上a軸或b軸的方向不同(即，以c軸為中心回轉)。
    電晶體113a的源極和汲極中的一者被輸入電位Va，電晶體113a的閘極與電晶體112a的源極和汲極中的另一者電連接。另外，根據電晶體113a的源極與汲極之間流過的電流決定第一光資料信號Spd1的電位。
    電晶體113b的源極和汲極中的一者被輸入電位Va，電晶體113b的閘極與電晶體112b的源極和汲極中的另一者電連接。另外，根據電晶體113b的源極與汲極之間流過的電流決定第二光資料信號Spd2的電位。
    電晶體113a及電晶體113b能夠對光電轉換元件111的光電流進行增幅，而用作具有該功能的增幅電晶體。另外，藉由作為電晶體112a及電晶體112b使用上述包括形成有通道的氧化物半導體層的電晶體，當電晶體112a及電晶體112b處於截止狀態時，可以延長電晶體113a中的閘極的電荷及電晶體113b中的閘極的電荷的保持時間。
    電晶體114a的源極和汲極中的一者與電晶體113a的源極和汲極中的另一者電連接，電晶體114a的閘極被輸入為脈衝信號的輸出選擇信號(也稱為信號OSel)。另外，藉由電晶體114a的源極和汲極中的另一者輸出第一光資料信號Spd1。
    電晶體114b的源極和汲極中的一者與電晶體113b的源極和汲極中的另一者電連接，電晶體114b的閘極被輸入為脈衝信號的輸出選擇信號(信號OSel)。另外，藉由電晶體114b的源極和汲極中的另一者輸出第二光資料信號Spd2。
    電晶體114a能夠選擇是否將對應於電晶體113a的源極與汲極之間流過的電流的值的電位作為第一光資料信號Spd1輸出，電晶體114b能夠選擇是否將對應於電晶體113b的源極與汲極之間流過的電流的值的電位作為第二光資料信號Spd2輸出，電晶體114a和電晶體114b分別用作具有該功能的輸出選擇電晶體。另外，雖然沒有必要必須設置電晶體114a及電晶體114b，但是藉由設置電晶體114a及電晶體114b更易於設定從光偵測器輸出光資料的時序。
    電晶體115a的源極和汲極中的一者與電晶體114a的源極和汲極中的另一者電連接，電晶體115a的源極和汲極中的另一者被輸入電位Vb，電晶體115a的閘極被輸入輸出重設信號(也稱為信號ORst)。
    電晶體115b的源極和汲極中的一者與電晶體114b的源極和汲極中的另一者電連接，電晶體115b的源極和汲極中的另一者被輸入電位Vb，電晶體115b的閘極被輸入輸出重設信號(信號ORst)。
    電晶體115a及電晶體115b能夠對第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的電位進行重置，而具有輸出重置電晶體的功能。另外，沒有必要必須在光偵測器電路101中設置電晶體115a及電晶體115b，只要輸出第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的佈線與電晶體115a及電晶體115b的源極和汲極中的另一者電連接即可。
    另外，電位Va和電位Vb中的一者為高電源電位Vdd，電位Va和電位Vb中的另一者為低電源電位Vss。較佳的是電位Va的值及電位Vb的值的差的絕對值至少大於增幅電晶體的臨界電壓的絕對值。另外，有時電位Va及電位Vb的值例如根據電晶體的極性等而對調。
    作為電晶體113a、電晶體113b、電晶體114a、電晶體114b、電晶體115a及電晶體115b，例如可以使用包括用作通道形成層的氧化物半導體層的電晶體、包括含有屬於元素週期表中第14族的半導體(矽等)的半導體層的電晶體等。
    並且，在圖2A所示的光偵測器中，類比運算電路102包括電阻器211、電阻器212、電阻器213、電阻器214、運算放大器215及電阻器216。
    運算放大器215包括第一輸入端子、第二輸入端子及輸出端子。運算放大器215的第一輸入端子藉由電阻器211與光偵測器電路101中的電晶體114a的源極和汲極中的另一者電連接。另外，運算放大器215的輸出端子藉由電阻器216與運算放大器215的第一輸入端子電連接。
    並且，在圖2A所示的光偵測器中，切換電路103包括電晶體311、電晶體312及反相器313。
    電晶體311的源極和汲極中的一者與光偵測器電路101中的電晶體114b的源極和汲極中的另一者電連接，電晶體311的源極和汲極中的另一者藉由電阻器212與類比運算電路102中的運算放大器215的第一輸入端子電連接，電晶體311的閘極由反相器313輸入切換控制信號SwCTL的反轉信號。
    電晶體312的源極和汲極中的一者與光偵測器電路101中的電晶體114b的源極和汲極中的另一者電連接，另外，電晶體312的源極和汲極中的另一者藉由電阻器213與類比運算電路102中的運算放大器215的第二輸入端子電連接，並藉由電阻器214接地(成為Vgnd)。電晶體312的閘極被輸入切換控制信號SwCTL。
    作為電晶體311及電晶體312，例如可以使用包括用作通道形成層的氧化物半導體層的電晶體、包括含有屬於元素週期表中第14族的半導體(矽等)的半導體層的電晶體等。
    接著，使用圖2B及2C的時序圖對圖2A所示的光偵測器的驅動方法例進行說明。在該情況下，將電阻器211與電阻器212設定為相同電阻值，將電阻器213的電阻值/電阻器214的電阻值與電阻器216的電阻值/電阻器211的電阻值設定為相同的值。另外，將電晶體112a、電晶體112b、電晶體113a、電晶體113b、電晶體114a、電晶體114b、電晶體311、電晶體312形成為N通道型電晶體。另外，將電位Va設定為高電源電位Vdd，將電位Vb設定為低電源電位Vcc(在此為Vgnd)。
    在圖2A所示的光偵測器的驅動方法例中，根據入射到光偵測器的光的照度的值(Pd)是否大於基準值(Pref)而進行不同的工作。下面分別對其工作進行說明。
    當入射到光偵測器的光的照度的值(Pd)大於基準值(Pref)(Pd>Pref)時，第一光資料信號Spd1的值及第二光資料信號Spd2的值小，此時，在類比運算電路102中進行第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的加法運算。例如，如圖2B所示，切換控制信號SwCTL成為低位準(也稱為Low狀態)，電晶體311成為導通狀態而電晶體312成為截止狀態。
    另外，邊從時刻T11輸入光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝輸入邊輸入第一電荷累積控制信號(信號TX1)及第二電荷累積控制信號(信號TX2)脈衝。由此，電晶體112a及電晶體112b成為導通狀態而使光偵測器電路101成為重設模式。
    另外，在完成光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝輸入之後，藉由從時刻T12再次輸入第一電荷累積控制信號(信號TX1)及第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝，根據光電轉換元件111中流過的光電流決定電晶體113a中的閘極的電位(Vg113a)及電晶體113b的閘極的電位(Vg113b)。
    在完成第一電荷累積控制信號(信號TX1)及第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝輸入後，從時刻T13輸入輸出重設信號(信號ORst)的脈衝。由此，電晶體115a及電晶體115b成為導通狀態，第一光資料信號Spd1的電位及第二光資料信號Spd2的電位被重置。
    然後，從時刻T14輸入輸出選擇信號(信號OSel)的脈衝。由此，電晶體114a及電晶體114b成為導通狀態，第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的值被決定。在圖2B中，第一光資料信號Spd1的電位(Vpd1)及第二光資料信號Spd2的電位(Vpd2)為相同的值。由此，根據入射到光偵測器電路101的光的照度輸出兩個資料。
    此時，類比運算電路102的輸出信號Sad的電位成為第一光資料信號Spd1的電位+第二光資料信號Spd2的電位(Vpd1+Vpd2)。也就是說進行了第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的加法運算。
    另一者面，當入射到光偵測器的光的照度的值(Pd)為基準值(Pref)以下時(PdPref)，第一光資料信號Spd1的值及第二光資料信號Spd2的值大，此時，在類比運算電路102中進行第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的減法運算。如圖2C所示，切換控制信號SwCTL成為高位準(也稱為High狀態)，電晶體311成為截止狀態，電晶體312成為導通狀態。
    另外，邊從時刻T21輸入光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝邊輸入第一電荷累積控制信號(信號TX1)的脈衝。由此，電晶體112a成為導通狀態而光偵測器電路101成為重設模式。
    另外，在完成光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝輸入後，從時刻T22再次輸入第一電荷累積控制信號(信號TX1)的脈衝。由此，根據光電轉換元件111中流過的光電流決定電晶體113a的閘極的電位。
    並且，邊從時刻T23輸入光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝邊輸入第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝。由此，電晶體112b成為導通狀態而光偵測器電路101成為重設模式。
    另外，在完成第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝輸入及光偵測重設信號(信號PRst)的脈衝輸入之後，從時刻T24再次輸入第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝。由此，根據光電轉換元件111中流過的光電流決定電晶體113a的閘極的電位。
    並且，在完成第二電荷累積控制信號(信號TX2)的脈衝輸入之後，從時刻T25輸入輸出重設信號(信號ORst)的脈衝。由此，電晶體115a及電晶體115b成為導通狀態，第一光資料信號Spd1的電位及第二光資料信號Spd2的電位成為重設模式。
    然後，從時刻T26輸入輸出選擇信號(信號OSel)的脈衝。由此，電晶體114a及電晶體114b成為導通狀態，第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的值被決定。在圖2C中，第一光資料信號Spd1的電位(Vpd1)及第二光資料信號Spd2的電位(Vpd2)為不同的值。由此，對應於入射到光偵測器電路101的光的照度輸出兩個資料。
    另外，當將第一光資料信號Spd1的值設定為在第一圖框週期中決定的值時，可以將第二光資料信號Spd2的值設定為第一圖框週期之後的一個圖框週期以上的期間中決定的值。另外，可以在完成第一電荷累積控制信號(信號TX1)的脈衝輸入之後，在時刻T22之後至時刻T23之間輸入輸出選擇信號(信號OSel)的脈衝，使電晶體114a及電晶體114b成為導通狀態，並決定第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的值。
    此時，類比運算電路102的輸出信號Sad的電位成為第一光資料信號Spd1的電位-第二光資料信號Spd2的電位(Vpd1-Vpd2)。也就是說進行了第一光資料信號Spd1及第二光資料信號Spd2的減法運算。
    以上為圖2A所示的光偵測器的驅動方法例。
    如使用圖1A和1B及圖2A至2C所說明的那樣，在本實施例中的光偵測器的一個例子中，藉由使用切換電路，在入射到光偵測器的光的照度的值大於基準值時，對從光偵測器電路輸出的兩個光資料信號進行加法運算來增大類比運算電路的輸出信號(資料信號)的資料的值。由此可以擴大能夠產生的類比運算電路的輸出信號(資料信號)的值的範圍，從而可以增加使用該輸出信號(資料信號)能夠表示的灰階值。即，可以抑制光的偵測範圍變窄。 實施例2
    在本實施例中對光偵測器的例子進行說明。
    首先，使用圖3A和3B對本實施例中的光偵測器的結構例進行說明。圖3A和3B是示出本實施例中的光偵測器的結構例的塊圖。
    圖3A所示的光偵測器是能夠利用光進行資訊輸入的輸入裝置。另外，圖3B所示的光偵測器是能夠利用光進行資訊的輸入並且能夠藉由顯示影像進行資訊輸出的輸入輸出裝置。
    圖3A和3B所示的光偵測器包括光偵測部(也稱為Photo)401、控制部(也稱為CTL)402及資料處理部(也稱為DataP)403。
    另外，圖3A和3B所示的光偵測器包括光偵測驅動電路(也稱為PSDRV)411、多個光偵測器電路(也稱為PS)412、切換電路(也稱為Sw)413、類比運算電路(也稱為AO)414、讀出電路(也稱為Read)415、A/D轉換器(也稱為A/D)416、光偵測器控制電路421以及影像處理電路431。
    另外，圖3B所示的光偵測器包括顯示驅動電路417、顯示資料信號輸出電路418、多個顯示電路419及顯示控制電路422。
    多個光偵測器電路412設置在像素部Pix中。另外，在圖3A所示的光偵測器中，一個像素由一個以上的光偵測器電路412構成。另外，多個顯示電路419設置在像素部Pix中。另外，在圖3B所示的光偵測器中，一個像素由一個以上的顯示電路419構成。另外，也可以由一個以上的光偵測器電路412及一個以上的顯示電路419構成一個像素。
    光偵測驅動電路411是用來控制光偵測工作的電路。
    光偵測驅動電路411至少輸出為脈衝信號的光偵測重設信號、為脈衝信號的電荷累積控制信號以及為脈衝信號的輸出選擇信號。
    光偵測驅動電路411例如至少具有三個移位暫存器。在這種情況下，光偵測驅動電路411可以藉由從第一移位暫存器輸出脈衝信號來輸出光偵測重設信號，藉由從第二移位暫存器輸出脈衝信號來輸出電荷累積控制信號，且藉由從第三移位暫存器輸出脈衝信號來輸出輸出選擇信號。
    光偵測電路412產生對應於入射光的照度的值的電位的光資料。
    光偵測器電路412可以採用實施例1的光偵測器中的光偵測器電路。
    另外，作為多個光偵測器電路412可以設置接收呈現紅色的光的光偵測器電路、接收呈現綠色的光的光偵測器電路以及接收呈現藍色的光的光偵測器電路，分別利用各光偵測器電路產生光資料，並對產生的呈現不同顏色的光資料進行合成以產生全彩色的影像信號的資料。另外，還可以在上述光偵測器電路的基礎上設置接收呈現藍綠色、紫紅色及黃色中的一種或多種顏色的光的光偵測器電路。藉由設置接收呈現藍綠色、紫紅色及黃色中的一種或多種顏色的光的光偵測器電路，可以增加根據產生的影像信號的影像所能夠呈現的顏色種類。例如，在光偵測器電路中設置能夠透過呈現特定顏色的光的著色層，藉由隔著該著色層使光入射到光偵測器電路，可以產生對應於呈現特定的顏色的光的照度的值的電位的光資料。
    作為切換電路413可以使用實施例1的光偵測器中的切換電路。
    作為類比運算電路414，可以使用實施例1的光偵測器中的類比運算電路。
    讀出電路415能夠讀出光資料。讀出電路415從光偵測器電路412讀出光資料。
    讀出電路415例如可以使用選擇電路構成。例如，選擇電路具有電晶體並可以在根據該電晶體輸入作為光資料信號的光資料時讀出光資料。
    A/D轉換電路416能夠將從讀出電路415輸入的類比資料轉換為數位資料。注意，不需要一定將A/D轉換電路416設置在光檢測部401。
    顯示驅動電路417是用來控制顯示電路419的顯示工作的電路。
    顯示驅動電路417例如具有移位暫存器。在這種情況下，顯示驅動電路417可以藉由從移位暫存器輸出多個脈衝信號，來輸出用來控制顯示電路419的信號(例如顯示選擇信號(也稱為信號DSEL))。另外，顯示驅動電路417也可以具有多個移位暫存器。在這種情況下，顯示驅動電路417可以藉由分別從上述多個移位暫存器輸出多個脈衝信號，來輸出用來控制顯示電路419的多個信號。
    顯示資料信號輸出電路418被輸入影像信號。顯示資料信號輸出電路418能夠根據被輸入的影像信號產生顯示資料信號(也稱為信號DD)並輸出產生的顯示資料信號。
    顯示資料信號輸出電路418例如具有多個電晶體。
    顯示資料信號輸出電路418可以將上述電晶體為導通狀態時輸入的信號的資料作為顯示資料信號輸出。上述電晶體可以藉由對電流控制端子輸入為脈衝信號的控制信號來控制。另外，當具有多個顯示電路419時，可以藉由選擇性地將多個開關電晶體設定為導通狀態或截止狀態，將影像信號的資料作為多個顯示資料信號輸出。
    多個顯示電路419分別被輸入顯示資料信號。多個顯示電路419成為對應於被輸入的顯示資料的顯示狀態。
    作為顯示電路419例如可以使用包括液晶元件的顯示電路、包括電致發光(也稱為EL)元件的顯示電路等。
    另外，還可以藉由設置發射呈現紅色的光的顯示電路、發射呈現綠色的光的顯示電路及發射呈現藍色的光的顯示電路並藉由分別利用上述顯示電路發射光來在像素部中顯示彩色影像。另外，還可以在上述顯示電路的基礎上設置發射呈現藍綠色、紫紅色及黃色中的一種或多種顏色的光的顯示電路。藉由設置發射呈現藍綠色、紫紅色及黃色中的一種或多種顏色的光的顯示電路，可以增加顯示影像所能夠呈現的顏色種類，由此可以提高顯示影像的品質。例如，在顯示電路中設置發光元件及能夠透過發光元件所發射的光中呈現特定顏色的光的著色層，可以藉由隔著該著色層從發光元件發射光來發射呈現特定顏色的光。藉由採用上述結構，可以在無需形成彼此發射呈現不同顏色的光的多個發光元件的情況下顯示彩色影像，由此可以簡化製造製程，提高良率並提高發光元件的品質和可靠性。
    光檢測控制電路421能夠控制用來進行光偵測工作的電路的工作。例如輸入到切換電路413中的切換控制信號SwCTL也由光偵測控制電路421產生。
    顯示控制電路422能夠控制用來進行顯示工作的電路的工作。
    影像處理電路431能夠使用由光偵測部產生的光資料信號進行影像資料的產生。並且，影像處理電路431還能夠對入射到光偵測器中的光的照度的值與基準值進行比較。
    接著，說明圖3A和3B所示的光偵測器的驅動方法例。
    首先，對圖3A所示的光偵測器的驅動方法例進行說明。
    作為圖3A所示的光偵測器，在光偵測器電路412中對應於入射的光的照度產生兩個光資料，並將上述兩個光資料作為第一光資料信號及第二光資料信號輸出。產生的第一光資料信號及第二光資料信號藉由切換電路413輸入到類比運算電路414，並利用類比運算電路414進行運算處理。運算處理的內容根據輸入到切換電路413的切換控制信號SwCTL的值決定。
    並且，利用讀出電路415讀出從類比運算電路414輸出的光資料。被讀出的光資料藉由A/D轉換電路416轉換為數位資料並被用於規定的處理。
    並且，利用影像處理電路431進行光資料的值與基準值的比較，並根據比較結果決定光偵測控制電路421的控制信號的值。在這種情況下，切換控制信號SwCTL的值也被決定。由此，可以根據入射到光偵測器中的光的照度控制切換電路413的工作及類比運算電路414的工作。
    接著，對圖3B所示的光偵測器的驅動方法例進行說明。
    在圖3B所示的光偵測器中，在各行中根據顯示驅動電路417選擇顯示電路419，並對被選擇的各行的顯示電路419依次輸入顯示資料信號。
    被輸入顯示資料信號的顯示電路419成為根據被輸入的顯示資料信號的資料的顯示狀態，像素部Pix顯示影像。
    另外，在圖3B所示的光偵測器中，在光偵測器電路412中產生根據入射的光的照度的電位的兩個光資料，並將上述兩個光資料作為第一光資料信號及第二光資料信號輸出。產生的第一光資料信號及第二光資料信號藉由切換電路413輸入到類比運算電路414，利用類比運算電路414進行運算處理。運算處理的內容根據輸入到切換電路413的切換控制信號SwCTL的值決定。
    並且，利用讀出電路415讀出從類比運算電路414輸出的光資料。被讀出的光資料藉由A/D轉換電路416轉換為數位資料，例如可以用於顯示控制電路422的控制、偵測目標的影像資料產生等預定處理。
    並且，利用影像處理電路431進行光資料的值與基準值的比較，並根據比較結果決定光偵測控制電路421的控制信號的值。此時，切換控制信號SwCTL的值也被決定。由此，可以根據入射到光偵測器中的光的照度控制切換電路413的工作及類比運算電路414的工作。
    上述是對圖3A和3B所示的光偵測器的驅動方法例的說明。
    如使用圖3A和3B說明的那樣，在本實施例的光偵測器的一個例子中，可以根據入射到光偵測器的光的照度決定切換控制信號的值。由此，可以根據入射到光偵測器的光的照度切換類比運算電路中的運算處理的內容。注意，不侷限於此，也可以另外設置照度感測器並根據該照度感測器的輸出資料決定切換控制信號的值。 實施例3
    在本實施例中，對上述實施例的具有光偵測器的電子裝置的例子進行說明。
    使用圖4A至4D對在本實施例中的電子裝置的結構例進行說明。圖4A至4D是說明本實施例中的電子裝置的結構例的模式圖。
    圖4A所示的電子裝置為數位相機。圖4A所示的數位相機包括外殼1001a、透鏡1002a、快門按鈕1003、電源按鈕1004及閃光燈1005。
    並且，外殼1001a內部具有上述實施例中的光偵測器(例如圖3A所示的光偵測器)。由此，例如可以藉由按快門按鈕1003利用光偵測器偵測透過透鏡1002a入射的光來進行撮影等。
    圖4B所示的電子裝置為攝像機。圖4B所示的攝像機包括外殼1001b、透鏡1002b及顯示部1006。
    並且，外殼1001b內部包括上述實施例中的光偵測器(例如圖3A所示的光偵測器)。由此，例如可以利用光偵測器偵測透過透鏡1002b入射的光來進行撮影等。
    另外，顯示部1006也可以使用上述實施例中的光偵測器(例如圖3B所示的光偵測器)。由此，例如可以將顯示部1006用作觸摸屏。
    圖4C所示的電子裝置為可攜式資訊終端的例子。圖4C所示的資訊終端包括外殼1001c、設置於外殼1001c內的透鏡1002c以及設置於外殼1001c內的顯示部1007。
    另外，也可以在外殼1001c的側面設置用來與外部設備連接的連接端子和用來操作圖4C所示的可攜式資訊終端的按鈕中的一個或多個。
    圖4C所示的可攜式資訊終端的外殼1001c中包括：CPU、主記憶體、進行外部設備與CPU及主記憶體之間的信號的發送及接收的介面、進行與外部設備的信號的發送及接收的天線。注意，在外殼1001c中，可以設置一個或多個具有特定功能的積體電路。
    並且，外殼1001c內部包括上述實施例中的光偵測器(例如圖3A所示的光偵測器)。由此，例如可以利用光偵測器偵測透過透鏡1002c入射的光來進行撮影等。另外，雖然將透鏡1002c設置在與顯示部1007相同的面上，但是不侷限於此，例如也可以在顯示部1007的背面上設置透鏡1002c。
    另外，也可以對顯示部1007使用上述實施例中的光偵測器(例如圖3B所示的光偵測器)。由此，例如可以將顯示部1007用作觸摸屏。
    圖4C所示的可攜式資訊終端例如可以具有電話、電子書閱讀器、個人電腦和遊戲機中的一種或多種功能。
    圖4D所示的電子裝置是折疊式可攜式資訊終端的例子。圖4D所示的可攜式資訊終端包括：外殼1001d；設置於外殼1001d內的顯示部1009；外殼1008；設置於外殼1008內的顯示部1010；以及連接外殼1001d與外殼1008的軸部1011。
    另外，圖4D所示的可攜式資訊終端藉由利用軸部1011使外殼1001d或外殼1008移動，可以使外殼1001d與外殼1008重疊。
    另外，也可以在外殼1001d的側面或外殼1008的側面設置用來進行與外部設備連接的連接端子和用來操作圖4D所示的可攜式資訊終端的按鈕中的一個或多個。
    另外，顯示部1009及顯示部1010也可以顯示不同的影像或一個影像。另外，沒有必要必須設置顯示部1010，也可以代替顯示部1010設置作為輸入裝置的鍵盤。
    圖4D所示的可攜式資訊終端的外殼1001d或外殼1008中包括：CPU、主記憶體以及進行外部設備與CPU及主記憶體之間的信號的發送及接收的介面。注意，在外殼1001d或外殼1008中，可以設置一個或多個具有特定功能的積體電路。另外，也可以對圖4D所示的可攜式資訊終端設置進行與外部設備的信號的發送及接收的天線。
    並且，也可以在外殼1001d或外殼1008的內部使用上述實施例中的光偵測器(例如圖3B所示的光偵測器)。由此，例如可以將外殼1001d或外殼1008的內部用作觸摸屏。
    圖4D所示的可攜式資訊終端例如可以具有電話、電子書閱讀器、個人電腦和遊戲機中的一種或多種功能。
    如使用圖4A至4D說明的那樣，作為本實施例中的電子裝置的一個例子可以使用上述實施例中的光偵測器。藉由使用上述光偵測器可以提供能夠進行高精度攝像的電子裝置。
    101‧‧‧光偵測器電路
    102‧‧‧類比運算電路
    103‧‧‧切換電路
    104a‧‧‧相關雙取樣電路
    104b‧‧‧相關雙取樣電路
    111‧‧‧光電轉換元件
    112a‧‧‧電晶體
    112b‧‧‧電晶體
    113a‧‧‧電晶體
    113b‧‧‧電晶體
    114a‧‧‧電晶體
    114b‧‧‧電晶體
    115a‧‧‧電晶體
    115b‧‧‧電晶體
    211‧‧‧電阻器
    212‧‧‧電阻器
    213‧‧‧電阻器
    214‧‧‧電阻器
    215‧‧‧運算放大器
    216‧‧‧電阻器
    311‧‧‧電晶體
    312‧‧‧電晶體
    313‧‧‧反相器
    401‧‧‧光偵測部
    411‧‧‧光偵測驅動電路
    412‧‧‧光偵測器電路
    413‧‧‧切換電路
    414‧‧‧類比運算電路
    415‧‧‧電路
    416‧‧‧A/D轉換電路
    417‧‧‧顯示驅動電路
    418‧‧‧顯示資料信號輸出電路
    419‧‧‧顯示電路
    421‧‧‧光偵測控制電路
    422‧‧‧顯示控制電路
    431‧‧‧影像處理電路
    1001a‧‧‧外殼
    1001b‧‧‧外殼
    1001c‧‧‧外殼
    1001d‧‧‧外殼
    1002a‧‧‧透鏡
    1002b‧‧‧透鏡
    1002c‧‧‧透鏡
    1003‧‧‧快門按鈕
    1004‧‧‧電源按鈕
    1005‧‧‧閃光燈
    1006‧‧‧顯示部
    1007‧‧‧顯示部
    1008‧‧‧外殼
    1009‧‧‧顯示部
    1010‧‧‧顯示部
    1011‧‧‧軸部
    在圖式中：圖1A和1B是說明實施例1中的光偵測器的例子的圖；圖2A至2C是說明實施例1中的光偵測器的例子的圖；圖3A和3B是說明實施例2中的光偵測器的例子的圖；圖4A至4D是說明實施例3中的電子裝置的例子的圖。
    101‧‧‧光偵測器電路
    102‧‧‧類比運算電路
    103‧‧‧切換電路
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種半導體裝置，包括：包括光電轉換元件的光偵測器電路；電連接於該光偵測器電路的切換電路；以及電連接於該切換電路的類比運算電路，其中，該光偵測器電路輸出第一光資料信號和第二光資料信號，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號的值都根據入射到該光電轉換元件的光的照度而決定，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號被輸入到該類比運算電路，其中，該類比運算電路利用該第一光資料信號和該第二光資料信號進行運算處理，並且其中，該切換電路切換作為該類比運算電路中的該運算處理是進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的加法運算還是進行其減法運算。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，該光偵測器電路包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；以及第四電晶體，其中，該光電轉換元件包括第一電流端子和第二電流端子，其中，根據入射光的照度光電流流過該第一電流端子與該第二電流端子之間，其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第三電晶體的閘極電連接於該第一電晶體的該源極和該汲極的另一者，其中，該第一光資料信號的電位根據該第三電晶體的源極和汲極之間流過的電流而決定，該第四電晶體的閘極電連接於該第二電晶體的該源極和該汲極的另一者，並且其中，該第二光資料信號的電位根據該第四電晶體的源極與汲極之間流過的電流而決定。
    [3] 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，該切換電路包括：第五電晶體；以及第六電晶體，其中，該第五電晶體的閘極輸入切換控制信號，其中，該第五電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該加法運算，其中，該第六電晶體的閘極輸入該切換控制信號的反轉信號，並且其中，該第六電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該減法運算。
    [4] 根據申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中，該切換電路包括：第五電晶體；以及第六電晶體，其中，該第五電晶體的閘極輸入切換控制信號，其中，該第五電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該加法運算，其中，該第六電晶體的閘極輸入該切換控制信號的反轉信號，並且其中，該第六電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該減法運算。
    [5] 根據申請專利範圍第4項之半導體裝置，其中，該切換控制信號的值根據該類比運算電路的輸出信號的值而決定。
    [6] 一種電子裝置，其包括根據申請專利範圍第1項之半導體裝置。
    [7] 一種半導體裝置，包括：光偵測器電路，包括：包括氧化物半導體的第一電晶體；包括氧化物半導體的第二電晶體；以及與該第一電晶體的源極和汲極的其中一者以及該第二電晶體的源極和汲極的其中一者電連接的光電轉換元件；電連接於該光偵測器電路的切換電路；以及電連接於該切換電路的類比運算電路，其中，該光偵測器電路輸出第一光資料信號和第二光資料信號，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號的值都根據入射到該光電轉換元件的光的照度而決定，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號被輸入到該類比運算電路，其中，該類比運算電路利用該第一光資料信號和該第二光資料信號進行運算處理，並且其中，該切換電路切換作為該類比運算電路中的該運算處理是進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的加法運算還是進行其減法運算。
    [8] 根據申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中，該光偵測器電路包括：第三電晶體；以及第四電晶體，其中，該光電轉換元件包括第一電流端子和第二電流端子，其中，根據入射光的照度光電流流過該第一電流端子與該第二電流端子之間，其中，該第一電晶體的該源極和該汲極中的該一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第二電晶體的該源極和該汲極中的該一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第三電晶體的閘極電連接於該第一電晶體的該源極和該汲極的另一者，其中，該第一光資料信號的電位根據該第三電晶體的源極和汲極之間流過的電流而決定，其中，該第四電晶體的閘極電連接於該第二電晶體的該源極和該汲極的另一者，並且其中，該第二光資料信號的電位根據該第四電晶體的源極與汲極之間流過的電流而決定。
    [9] 根據申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中，該切換電路包括：第五電晶體；以及第六電晶體，其中，該第五電晶體的閘極輸入切換控制信號，其中，該第五電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該加法運算，其中，該第六電晶體的閘極輸入該切換控制信號的反轉信號，並且其中，該第六電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該減法運算。
    [10] 根據申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中該切換電路包括：第五電晶體；以及第六電晶體，其中，該第五電晶體的閘極輸入切換控制信號，其中，該第五電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該加法運算，其中，該第六電晶體的閘極輸入該切換控制信號的反轉信號，並且其中，該第六電晶體控制是否在該類比運算電路中進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的該減法運算。
    [11] 根據申請專利範圍第10項之半導體裝置，其中，該切換控制信號的值根據該類比運算電路的輸出信號的值而決定。
    [12] 一種電子裝置，其包括根據申請專利範圍第7項之半導體裝置。
    [13] 一種半導體裝置，包括：包括光電轉換元件的光偵測器電路；以及電連接於該光偵測器電路的類比運算電路，其中，該光偵測器電路輸出第一光資料信號和第二光資料信號，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號的值都根據入射到該光電轉換元件的光的照度而決定，其中，該第一光資料信號和該第二光資料信號被輸入到該類比運算電路，其中，該類比運算電路利用該第一光資料信號和該第二光資料信號進行運算處理，並且其中，該類比運算電路進行該第一光資料信號和該第二光資料信號的加法運算。
    [14] 根據申請專利範圍第13項之半導體裝置，其中，該光偵測器電路包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；以及第四電晶體，其中，該光電轉換元件包括第一電流端子和第二電流端子，其中，根據入射光的照度光電流流過該第一電流端子與該第二電流端子之間，其中，該第一電晶體的源極和汲極的其中一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第二電晶體的源極和汲極的其中一者電連接於該光電轉換元件的該第二電流端子，其中，該第三電晶體的閘極電連接於該第一電晶體的該源極和該汲極的另一者，其中，該第一光資料信號的電位根據該第三電晶體的源極和汲極之間流過的電流而決定，其中，該第四電晶體的閘極電連接於該第二電晶體的該源極和該汲極的另一者，並且其中，該第二光資料信號的電位根據該第四電晶體的源極與汲極之間流過的電流而決定。
    [15] 一種電子裝置，包括根據申請專利範圍第13項之半導體裝置。
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    US20050269486A1|2005-12-08|Optical sensor, output processing method of optical sensor, display device, and electronic apparatus
    TW200809733A|2008-02-16|Display apparatus and electronic device
    US20070023614A1|2007-02-01|Cmos image sensor having dark current compensation function
    JP2005347537A|2005-12-15|光センサ回路、光センサ回路の出力信号処理方法および電子機器
    CN109427301B|2021-01-22|像素电路和电致发光显示面板、其驱动方法及显示装置
    TWI437472B|2014-05-11|感測器裝置，驅動感測器元件之方法，具有輸入功能之顯示裝置及電子單元
    TWI427589B|2014-02-21|顯示裝置及包含此顯示裝置的電子設備
    JP4701603B2|2011-06-15|表示装置およびその駆動方法
    JP5501583B2|2014-05-21|光電変換装置、及び当該光電変換装置を具備する電子機器
    JP5848586B2|2016-01-27|入出力装置
    US11106295B2|2021-08-31|Touch-control pixel-driving circuit and method thereof, a touch-control display apparatus
    JP2018164139A|2018-10-18|撮像装置および電子機器
    CN113692613A|2021-11-23|像素电路和像素控制方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    TWI605714B|2017-11-11|
    JP6435314B2|2018-12-05|
    US9200952B2|2015-12-01|
    JP2013040921A|2013-02-28|
    KR20130009657A|2013-01-23|
    KR102081040B1|2020-02-26|
    JP2017096962A|2017-06-01|
    US20130015332A1|2013-01-17|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS53148433A|1977-05-30|1978-12-25|Minolta Camera Co Ltd|Exposure controller of cameras|
    JPS60198861A|1984-03-23|1985-10-08|Fujitsu Ltd|Thin film transistor|
    JPH0244256B2|1987-01-28|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho|Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho|
    JPH0244260B2|1987-02-24|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho|Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho|
    JPH0244259B2|1987-02-24|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho||
    JPH0244258B2|1987-02-24|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho|Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho|
    JPH0244262B2|1987-02-27|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho|Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho|
    JPH0244263B2|1987-04-22|1990-10-03|Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho|Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho|
    JPH05251705A|1992-03-04|1993-09-28|Fuji Xerox Co Ltd|薄膜トランジスタ|
    JP3484252B2|1995-02-15|2004-01-06|日本放送協会|固体撮像デバイス|
    JP3479375B2|1995-03-27|2003-12-15|科学技術振興事業団|亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法|
    KR100394896B1|1995-08-03|2003-11-28|코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.|투명스위칭소자를포함하는반도체장치|
    JPH09105671A|1995-10-11|1997-04-22|Alps Electric Co Ltd|光センサ回路|
    JP3625598B2|1995-12-30|2005-03-02|三星電子株式会社|液晶表示装置の製造方法|
    JP3646848B2|1998-04-28|2005-05-11|日本精機株式会社|表示装置|
    JP4170454B2|1998-07-24|2008-10-22|Ｈｏｙａ株式会社|透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法|
    JP2000150861A|1998-11-16|2000-05-30|Tdk Corp|酸化物薄膜|
    JP3276930B2|1998-11-17|2002-04-22|科学技術振興事業団|トランジスタ及び半導体装置|
    TW460731B|1999-09-03|2001-10-21|Ind Tech Res Inst|Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD|
    US6747638B2|2000-01-31|2004-06-08|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor|
    JP4089858B2|2000-09-01|2008-05-28|国立大学法人東北大学|半導体デバイス|
    KR20020038482A|2000-11-15|2002-05-23|모리시타 요이찌|박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널|
    JP3997731B2|2001-03-19|2007-10-24|富士ゼロックス株式会社|基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法|
    JP2002289859A|2001-03-23|2002-10-04|Minolta Co Ltd|薄膜トランジスタ|
    JP3925839B2|2001-09-10|2007-06-06|シャープ株式会社|半導体記憶装置およびその試験方法|
    JP4090716B2|2001-09-10|2008-05-28|雅司 川崎|薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置|
    JP3984814B2|2001-10-29|2007-10-03|キヤノン株式会社|撮像素子、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム|
    WO2003040441A1|2001-11-05|2003-05-15|Japan Science And Technology Agency|Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film|
    JP4083486B2|2002-02-21|2008-04-30|独立行政法人科学技術振興機構|ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法|
    CN1445821A|2002-03-15|2003-10-01|三洋电机株式会社|ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法|
    JP3933591B2|2002-03-26|2007-06-20|淳二 城戸|有機エレクトロルミネッセント素子|
    US7339187B2|2002-05-21|2008-03-04|State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University|Transistor structures|
    JP2004022625A|2002-06-13|2004-01-22|Murata Mfg Co Ltd|半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法|
    US7105868B2|2002-06-24|2006-09-12|Cermet, Inc.|High-electron mobility transistor with zinc oxide|
    JP4164562B2|2002-09-11|2008-10-15|独立行政法人科学技術振興機構|ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ|
    JP4403687B2|2002-09-18|2010-01-27|ソニー株式会社|固体撮像装置およびその駆動制御方法|
    US7067843B2|2002-10-11|2006-06-27|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Transparent oxide semiconductor thin film transistors|
    JP4166105B2|2003-03-06|2008-10-15|シャープ株式会社|半導体装置およびその製造方法|
    JP2004273732A|2003-03-07|2004-09-30|Sharp Corp|アクティブマトリクス基板およびその製造方法|
    KR100523672B1|2003-04-30|2005-10-24|매그나칩 반도체 유한회사|다중 플로팅디퓨젼영역을 구비하는 씨모스 이미지센서|
    JP2004356699A|2003-05-27|2004-12-16|Victor Co Of Japan Ltd|撮像装置及び撮像素子|
    JP4108633B2|2003-06-20|2008-06-25|シャープ株式会社|薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス|
    US7262463B2|2003-07-25|2007-08-28|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Transistor including a deposited channel region having a doped portion|
    US7297921B2|2003-11-21|2007-11-20|Olympus Corportion|Photodetection circuit and confocal microscope that has it|
    EP2413366B1|2004-03-12|2017-01-11|Japan Science And Technology Agency|A switching element of LCDs or organic EL displays|
    US7282782B2|2004-03-12|2007-10-16|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Combined binary oxide semiconductor device|
    US7145174B2|2004-03-12|2006-12-05|Hewlett-Packard Development Company, Lp.|Semiconductor device|
    US7297977B2|2004-03-12|2007-11-20|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Semiconductor device|
    US7211825B2|2004-06-14|2007-05-01|Yi-Chi Shih|Indium oxide-based thin film transistors and circuits|
    JP2006100760A|2004-09-02|2006-04-13|Casio Comput Co Ltd|薄膜トランジスタおよびその製造方法|
    US7285501B2|2004-09-17|2007-10-23|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Method of forming a solution processed device|
    US7298084B2|2004-11-02|2007-11-20|3M Innovative Properties Company|Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes|
    US7791072B2|2004-11-10|2010-09-07|Canon Kabushiki Kaisha|Display|
    US7601984B2|2004-11-10|2009-10-13|Canon Kabushiki Kaisha|Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator|
    WO2006051995A1|2004-11-10|2006-05-18|Canon Kabushiki Kaisha|Field effect transistor employing an amorphous oxide|
    US7453065B2|2004-11-10|2008-11-18|Canon Kabushiki Kaisha|Sensor and image pickup device|
    US7829444B2|2004-11-10|2010-11-09|Canon Kabushiki Kaisha|Field effect transistor manufacturing method|
    US7863611B2|2004-11-10|2011-01-04|Canon Kabushiki Kaisha|Integrated circuits utilizing amorphous oxides|
    AU2005302963B2|2004-11-10|2009-07-02|Cannon Kabushiki Kaisha|Light-emitting device|
    JP4325557B2|2005-01-04|2009-09-02|ソニー株式会社|撮像装置および撮像方法|
    US7579224B2|2005-01-21|2009-08-25|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Method for manufacturing a thin film semiconductor device|
    TWI569441B|2005-01-28|2017-02-01|半導體能源研究所股份有限公司|半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法|
    TWI505473B|2005-01-28|2015-10-21|Semiconductor Energy Lab|半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法|
    US7858451B2|2005-02-03|2010-12-28|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof|
    US7948171B2|2005-02-18|2011-05-24|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Light emitting device|
    US20060197092A1|2005-03-03|2006-09-07|Randy Hoffman|System and method for forming conductive material on a substrate|
    US8681077B2|2005-03-18|2014-03-25|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof|
    US7544967B2|2005-03-28|2009-06-09|Massachusetts Institute Of Technology|Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications|
    US7645478B2|2005-03-31|2010-01-12|3M Innovative Properties Company|Methods of making displays|
    US8300031B2|2005-04-20|2012-10-30|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element|
    JP2006344849A|2005-06-10|2006-12-21|Casio Comput Co Ltd|薄膜トランジスタ|
    US7402506B2|2005-06-16|2008-07-22|Eastman Kodak Company|Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby|
    US7691666B2|2005-06-16|2010-04-06|Eastman Kodak Company|Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby|
    US7507618B2|2005-06-27|2009-03-24|3M Innovative Properties Company|Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles|
    FR2888989B1|2005-07-21|2008-06-06|St Microelectronics Sa|Capteur d'images|
    KR100711890B1|2005-07-28|2007-04-25|삼성에스디아이 주식회사|유기 발광표시장치 및 그의 제조방법|
    JP2007059128A|2005-08-23|2007-03-08|Canon Inc|有機ｅｌ表示装置およびその製造方法|
    JP4791108B2|2005-08-31|2011-10-12|三菱電機株式会社|画像表示装置|
    JP4850457B2|2005-09-06|2012-01-11|キヤノン株式会社|薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード|
    JP2007073705A|2005-09-06|2007-03-22|Canon Inc|酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法|
    JP4280736B2|2005-09-06|2009-06-17|キヤノン株式会社|半導体素子|
    JP5116225B2|2005-09-06|2013-01-09|キヤノン株式会社|酸化物半導体デバイスの製造方法|
    EP1995787A3|2005-09-29|2012-01-18|Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.|Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof|
    JP5037808B2|2005-10-20|2012-10-03|キヤノン株式会社|アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置|
    CN101707212B|2005-11-15|2012-07-11|株式会社半导体能源研究所|半导体器件及其制造方法|
    TWI292281B|2005-12-29|2008-01-01|Ind Tech Res Inst|Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same|
    US7867636B2|2006-01-11|2011-01-11|Murata Manufacturing Co., Ltd.|Transparent conductive film and method for manufacturing the same|
    JP4977478B2|2006-01-21|2012-07-18|三星電子株式会社|ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法|
    US7576394B2|2006-02-02|2009-08-18|Kochi Industrial Promotion Center|Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof|
    US7977169B2|2006-02-15|2011-07-12|Kochi Industrial Promotion Center|Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof|
    KR20070101595A|2006-04-11|2007-10-17|삼성전자주식회사|ＺｎＯ ＴＦＴ|
    US20070252928A1|2006-04-28|2007-11-01|Toppan Printing Co., Ltd.|Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof|
    JP5028033B2|2006-06-13|2012-09-19|キヤノン株式会社|酸化物半導体膜のドライエッチング方法|
    JP4999400B2|2006-08-09|2012-08-15|キヤノン株式会社|酸化物半導体膜のドライエッチング方法|
    JP4609797B2|2006-08-09|2011-01-12|Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社|薄膜デバイス及びその製造方法|
    US7773136B2|2006-08-28|2010-08-10|Sanyo Electric Co., Ltd.|Image pickup apparatus and image pickup method for equalizing infrared components in each color component signal|
    US7663165B2|2006-08-31|2010-02-16|Aptina Imaging Corporation|Transparent-channel thin-film transistor-based pixels for high-performance image sensors|
    JP4332545B2|2006-09-15|2009-09-16|キヤノン株式会社|電界効果型トランジスタ及びその製造方法|
    JP5164357B2|2006-09-27|2013-03-21|キヤノン株式会社|半導体装置及び半導体装置の製造方法|
    JP4274219B2|2006-09-27|2009-06-03|セイコーエプソン株式会社|電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置|
    US7622371B2|2006-10-10|2009-11-24|Hewlett-Packard Development Company, L.P.|Fused nanocrystal thin film semiconductor and method|
    JP4312222B2|2006-10-12|2009-08-12|三洋電機株式会社|撮像装置|
    US7772021B2|2006-11-29|2010-08-10|Samsung Electronics Co., Ltd.|Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays|
    JP2008140684A|2006-12-04|2008-06-19|Toppan Printing Co Ltd|カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法|
    KR101303578B1|2007-01-05|2013-09-09|삼성전자주식회사|박막 식각 방법|
    US8207063B2|2007-01-26|2012-06-26|Eastman Kodak Company|Process for atomic layer deposition|
    DE102007036973A1|2007-02-24|2008-09-04|Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.|Pixelzelle, Verfahren zum Betreiben einer Pixelzelle, Verfahren zum Bestimmen einer Position eines Maximums einer Hüllkurve eines analogen amplituden-modulierten Signals, Vorrichtung zum Bestimmen einer Ladungsmenge, Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Ladungsmenge auf einem kapazitiven Element, Vorrichtung und Verfahren und Setzen eines Schaltungsknotens auf eine vorbestimmte Spannung, Vorrichtung und Verfahren zum ladungsbasierten analog-/digital-Wandeln und Vorrichtung und Verfahren zur ladungsbasierten Signalverarbeitung|
    KR100851215B1|2007-03-14|2008-08-07|삼성에스디아이 주식회사|박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치|
    US7795613B2|2007-04-17|2010-09-14|Toppan Printing Co., Ltd.|Structure with transistor|
    KR101325053B1|2007-04-18|2013-11-05|삼성디스플레이 주식회사|박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법|
    KR20080094300A|2007-04-19|2008-10-23|삼성전자주식회사|박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이|
    KR101334181B1|2007-04-20|2013-11-28|삼성전자주식회사|선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법|
    WO2008133345A1|2007-04-25|2008-11-06|Canon Kabushiki Kaisha|Oxynitride semiconductor|
    KR101345376B1|2007-05-29|2013-12-24|삼성전자주식회사|ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법|
    KR20090040158A|2007-10-19|2009-04-23|삼성전자주식회사|투명한 트랜지스터를 구비한 시모스 이미지 센서|
    JP5215158B2|2007-12-17|2013-06-19|富士フイルム株式会社|無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス|
    JP2009187342A|2008-02-07|2009-08-20|Seiko Epson Corp|タッチパネル、電気光学装置及び電子機器|
    JP4623179B2|2008-09-18|2011-02-02|ソニー株式会社|薄膜トランジスタおよびその製造方法|
    JP5451280B2|2008-10-09|2014-03-26|キヤノン株式会社|ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置|
    US8941617B2|2008-11-07|2015-01-27|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Image input-output device with color layer between photodetector and display elements to improve the accuracy of reading images in color|
    JP5100670B2|2009-01-21|2012-12-19|株式会社半導体エネルギー研究所|タッチパネル、電子機器|
    JP2010183462A|2009-02-06|2010-08-19|Panasonic Corp|固体撮像装置及びカメラ|
    JP2010278654A|2009-05-27|2010-12-09|Fujifilm Corp|固体撮像素子、撮像装置、撮像方法|
    EP3051588A1|2009-11-06|2016-08-03|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Semiconductor device|
    JP5327101B2|2010-03-03|2013-10-30|アンデン株式会社|過電流保護回路|
    JP5749975B2|2010-05-28|2015-07-15|株式会社半導体エネルギー研究所|光検出装置、及び、タッチパネル|
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    US8785831B2|2011-01-05|2014-07-22|Luxima Technology LLC|Image sensors and methods with high speed global shutter pixels|
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    法律状态:
    2021-08-11| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011156200||2011-07-15||
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